GaN外延材料及其自供电紫外光电探测器研究进展
Recent Research Progress of GaN Epitaxial Material and Its Self-powered UV Photodetector
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摘要: 近年来，自供电GaN基紫外光电探测器凭借具有的紫外敏感性、高稳定性及便携应用等特点，在紫外通信、紫外辐射检测以及导弹追踪等领域具有重要的应用前景。但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差、器件集成度低等问题。为了解决上述问题，科研工作者开展系统地研究并取得了重要进展。本文从材料缺陷控制、器件结构设计和器件集成应用三个方面讨论了自供电GaN基紫外光电探测器的研究进展，并展望了其发展前景。
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