摘要: <正> 二氧化铈绝缘体 随着超大规模集成电路的发展,要求使用一种与微型电容器相匹配的薄膜材料。在低压下运行时,微型电容器必须具有适当的介电特性。以前用SiO2来绝缘,但是,SiO2不能满足超大规模集成技术发展的基本要求。其他的高介电常数薄膜绝缘材料,如Ta2O5能够用于超大规模集成电路中,但是,Ta2O5多晶膜的制备问题还悬而未决。