摘要: 文章研究了气压对射频磁控溅射法在硅基底上制备硅钼薄膜的影响,成功制备出单一的四方相二硅化钼薄膜,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜及应力分布测试仪对退火前后的薄膜样品进行了结构和应力分析。结果表明:气压对薄膜的微结构和内应力有重大影响。随着气压的升高,薄膜的结构发生表化,内应力降低。经高温退火后,薄膜的晶化程度明显提高,内应力大幅降低。